vcsel的结构和可靠性 -凯发k8国际手机app下载

对于此问题的探索,来源于vcsel的供应商选型,我们目前的vcsel厂家选型,都特别的依赖大厂,对于国产,自信心不足。为了解惑,增强自信心,需要从vcsel的结构和可靠性这2个角度去学习,目前了解尚浅,还需要持续学习!

一、vcsel的结构

1)基本结构

下图是vcsel的基本结构,上下面分别是p面电极和n面电极,位于n-substrate上的是vcsel的核心部分,这个核心部分结构类似于一个三明治。

位于三明治中间层的叫做量子阱(quantum well)层,量子阱层也叫做有源层,激光就是从这一层中生成的,因此虽然很薄(几十nm),却是vcsel结构中最重要的部分。三明治的上下面包片在vcsel中对应部分叫做dbr,分别是p-dbr和n-dbr,单个dbr部分是由几十层两类折射率不同的材料依次间隔构成的,而且这2个dbr是不同的,具体区别是掺杂不一样。

vcsel的结构和可靠性

基于上面的vcsel基本结构,其在工作时电流(红色箭头)和光场(蓝色箭头) 在内部是均匀分布的,所以此类结构的vcsel的阈值和电光效率都很差,不具备商业化价值。

从原理上,产生激光的过程一定是伴随着非线性效应的,光强越大,非线性效应就越强,因此最好是能够将电流和光场都约束在很小的范围内,如下图所示,这样能够有效降低vcsel的阈值电流、提高电光转换效率、提高3db调制带宽,这就需要优化vcsel的内部构造。

vcsel的结构和可靠性

2)基于mesa(台面)的结构

既然要限制电流和光场,那么类型a就是最容易想到的结构,相比于最基本的结构,电流和光场只能在 蚀刻出来的台面(mesa)中流动,这样就提升了电流和光场密度。

vcsel的结构和可靠性

类型b:是在类型a的基础上的优化,使用离子注入技术,一般是注入h 离子,使一部分的p-dbr失去电活性,将电流更加集中到vcsel器件的中心区域,第一款商业化的vcsel激光器使用的就是这类结构。

vcsel的结构和可靠性

类型c:离子注入的电失活区域可以限制电流通过,但无法限制光场,电失活区域还会增加光损耗(散射和吸收),于是人们就设计出类型c,这类结构中使用到了氧化工艺,这些氧化区域不仅可以限制电流,也可以限制光场,因此类型c的性能比类型b更加优秀,目前主流的vcsel结构中都使用到了氧化工艺。

此结构的缺点:mesa结构中量子阱和p-dbr的核心部分是暴露于外面的,比较容易受到水汽、机械损伤的影响,这些因素组合在一起会影响vcsel的可靠性。从结构上看,mesa边缘离量子阱比较近,边缘的损伤或者位错缺陷容易快速生长至量子阱区域,导 致器件失效。

3)平坦化结构

类型d:不存在mesa结构,使用离子注入技术来限制电流,但显而易见 的是,和类型b一样,类型d是无法限制光场的。

vcsel的结构和可靠性

类型e:使用蚀刻工艺,在vcsel两侧各设计出适当宽度的沟槽(trench),然后再进行选择氧化工 艺,最后在trench中填充有机物或者金属,做平坦化处理。这个类型其实是存在mesa结构的,只是mesa被 保护了起来,这样在器件的生产、贴片以及市场工作过程中,mesa结构都不会直接暴露在空气中,也不会受到清洗液、吸嘴等外力的影响。

vcsel的结构和可靠性

二、vcsel的可靠性

无论是mesa结构还是平坦化结构,量子阱的位置对可靠性是有影响的。下图中vcsel a类型的量子阱位于mesa结构下方,d类位错缺陷就会从mesa边缘生长进入量子阱中导致器件失效,而vcsel b类型的量子阱位于mesa结构中,d类位错缺陷不会造成器件失效。

vcsel的结构和可靠性

对于平坦化结构是类似的,取决于trench蚀刻深度或者是离子注入深度是否包含量子阱层。

不过,需要指出的是,mesa和trench蚀刻深度控制是很重要的,最好是刚好到达量子阱层。如果蚀刻深度不足,则会造成以上提到的问题,但如果蚀刻深度过深,则会导致n-dbr中a1在氧化工艺或者器件工作时被氧化。总之,mesa和trench蚀刻深度控制要刚刚好,精度控制在±0.2um以内。

网站地图